SMIC достигла плотности транзисторов, сравнимой с западными 7-нанометровыми техпроцессами, обходясь без EUV за счёт многократного мультипаттернинга и DTCO, но при этом уступает по производительности и энергоэффективности. Китайская микроэлектроника развивается, создавая альтернативу, хотя и с большими затратами и сложностями.
Did China just beat Intel?
полный разбор ролика · 5 глав ↓
Введение в проблему
Мир полупроводников разделён на тех, кто имеет доступ к EUV-литографии, и тех, кто нет. Потеря доступа к EUV была серьёзным ударом для Китая, но насколько велик разрыв в производстве на самом деле?
Пример — чип Kirin 9030 от Huawei, который был исследован под электронным микроскопом, показав неожиданные результаты по плотности металлов.
Методика и сравнение
STEEL — лаборатория для разборки и обратного проектирования чипов, дающая точные измерения металлов и транзисторов.
Сравниваются Kirin 9030 на SMIC N+3 (7 нм) и бюджетный Helio G99 на TSMC N6, чтобы понять реальную разницу в плотности.
Плотность и технологии SMIC
SMIC N+3 показывает более плотные металлы (32.5 нм против 40 нм у TSMC N6) и чуть большую плотность транзисторов.
Однако плотность — это не показатель скорости или энергоэффективности, которые у SMIC значительно уступают западным решениям.
Как SMIC обходится без EUV
Мультипаттернинг — многократное нанесение масок (до четверного), что увеличивает сложность, стоимость и риск брака.
DTCO — совместная оптимизация дизайна и технологии, уменьшение размеров ячеек, но с ухудшением надёжности и усложнением моделирования.
Производительность и эффективность
Несмотря на плотность, производительность Kirin 9030 сопоставима с флагманами Android трёхлетней давности.
Энергоэффективность значительно ниже, например, по сравнению с ядрами Apple, что ограничивает конкурентоспособность.